三氧化二硼硼硅片 型號(hào):ZJ333-PWB2

產(chǎn)品名稱：三氧化二硼硼硅片
產(chǎn)品型號(hào):PWB2
產(chǎn)品規(guī)格：100*4mm
微晶玻璃片狀擴(kuò)散源
使用說(shuō)明書
一 前言
PWB－硼微晶玻璃片狀擴(kuò)散源是一種的擴(kuò)散源，它適用于半導(dǎo)體元器件和集成電路的硼擴(kuò)散工藝，具有穩(wěn)定性、均勻性，目前已被半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用。

三氧化二硼硼硅片 型號(hào):ZJ333-PWB2

二 規(guī)格與參數(shù)
（1）規(guī)格
PWB1淡硼 PWB2濃硼
特殊規(guī)格 Φ40*1.5mm 特殊規(guī)格 Φ40*2.5mm
特殊規(guī)格 Φ45*1.5mm 特殊規(guī)格 Φ45*2.5mm
2英寸 Φ50*1.5mm 2英寸 Φ50*2.5mm
3英寸 Φ76.2*3mm 3英寸 Φ76.2*3mm
4英寸 Φ100*4mm 4英寸 Φ100*4mm
（2）參數(shù)
PWB1淡硼 PWB2濃硼
硼含量 B2O3≥43％ B2O3≥45％
膨脹系數(shù) 49*10-7＋3*10-7/℃（20℃～400℃）
擴(kuò)散溫度 900℃～1050℃
方塊電阻 RS≥30Ω/□ RS≥15Ω/□
（根據(jù)其他條件不同，RS值可以有所差異）
三 使用說(shuō)明
（一）源片清洗方法
主要是去-除源片表面所沾染的雜質(zhì)。有以下兩種方法：
（1） A 用丙酮棉花擦洗表面后，在乙醇中漂洗2～3秒；
B 用50℃～60℃的去離子水沖洗1～2分鐘；
C 冷去離子水沖洗10～15分鐘；
D 用紅外燈烘4～5小時(shí)。
（2） A 用丙酮與乙醇棉花先后擦洗源片正反兩面及四周；
B 用50℃～60℃的去離子水沖洗1～2分鐘；
C 冷去離子水沖洗10～15分鐘；
D 用紅外燈烘4～5小時(shí)。
源片的清洗和烘干應(yīng)連續(xù)進(jìn)行，在紅外燈烘干的過(guò)程中，如源片出現(xiàn)發(fā)黑現(xiàn)象，說(shuō)明有-機(jī)溶劑未沖洗干凈，烤源時(shí)通少量氧氣，即可除-去。
經(jīng)清洗和烘干以后的源片，即可放入石英管中隨爐升溫烤源。